中芯国际将转向IDM？2-Gbit闪存芯片已出炉电热毯

中芯国际将转向IDM？2-Gbit闪存芯片已出炉

分析师透露，中国晶圆代工厂商中芯国际计划新兴一家300毫米工厂，而且可能进行战略调整，转向idm模式。据一份来自市场调研公司semico research corp.的电子邮件快报：“该公司在北京新建了一家300毫米工厂，而且正在上海兴建另一家300毫米工厂。”中芯国际一直在提升其在北京的300毫米工厂的产量，同时它在上海拥有几家8英寸工厂。semico公司的分析师joanne i关闭阀tow表示，中芯国际计划在上海兴建名为“fab 8”的300毫米工厂，用于生产逻辑芯片。该厂计划采用90和65纳米工艺。她说：“可能在2007年投产。”

同时，分析师想知道中芯国际是否正在从纯粹的晶圆代工模式转向idm模式拓展。中芯国际在1月份决定在saifun semiconductors ltd.的帮助下进入存储卡市场。中芯国际扩展了许可范围，以利用saifun公司的氧氮化物闪存技术，使其能够开发和生产存储卡。中芯国际公司最近的财报暗示出公司正在进行nand闪存产品的开发。

“nand闪存开发工作在按计划进行，将在6月提供工程样品，已在第一季度成功地生产出2-gbit芯片。”semico公司的上述快报表示。“中芯国际计划在今年第四季度开始商业生产。”快报表示，此举“暗示中芯国际将从纯粹的晶圆代工厂商变成idm。”

“他们仍想充当纯粹的晶圆代工厂商。”itow表示。“他们正在试图确定在闪存业务方面采取什么策略。”中芯国际正在研究几项可能的方案，可能分拆闪存业务、建立伙伴关系，或者把该业务出售给一家模块制造商。中芯国际公司闪存的开发时间之快让人印象深刻，更引人注目的是它采用了saifun半导体公司的nrom 的闪存技术，许多saifun的合作伙伴都贴窗机已经发现这一技术很难掌握，尤其是那些向nrom转化，尚未建立标准闪存制造工艺的公司。

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“nand闪存开发工作在按计划进行，将在6月提供工程样品，已在第一季度成功地生产出2-gbit芯片。”semico公司的上述快报表示。“中芯国际计划在今年第四季度开始商业生产。”快报表示，此举“暗示中芯国际将从纯粹的晶圆代工厂商变成idm。”

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